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┝ 歡迎來到——武漢普賽斯儀表有限公司~ 公司主營:儀器儀表、電子產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售;電子技術(shù)服務(wù);軟件開發(fā)及技術(shù)服務(wù);貨物進出口、技術(shù)進出口、代理進出口(不含國家禁止或限制進出口的貨物及技術(shù))。(涉及許可經(jīng)營項目,應(yīng)取得相關(guān)部門許可后方可經(jīng)營)
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igbt靜態(tài)性能測試設(shè)備

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普賽斯儀表
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武漢普賽斯儀表有限公司
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普賽斯儀表
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武漢普賽斯儀表有限公司

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SiC/IGBT功率器件應(yīng)用發(fā)展

 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是電力控制和電力轉(zhuǎn)換的核心器件,是由BJT(雙極型晶體管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、高速開關(guān)特性和低導(dǎo)通狀態(tài)損耗等特點,在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。

 新能源汽車受800V驅(qū)動,以主逆變?yōu)榇淼腟iC滲透全面提速,貢獻最大下游市場并帶動充電樁、光儲及UPS市場逐步增長。碳化硅器件當(dāng)前以電壓等級600-1700V,功率等級10kW-1MW的硅基IGBT為主要替代對象.以下五類細分應(yīng)用成為當(dāng)前及未來的核心潛力領(lǐng)域:

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     800V架構(gòu)帶來的直接性能提升,疊加供給端、應(yīng)用端、成本端多重利好,推動新能源汽車成為SiC未來5年核心應(yīng)用陣地。

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SiC/IGBT功率半導(dǎo)體器件主要測試參數(shù)

  近年來IGBT成為電力電子領(lǐng)域中尤為矚目的電力電子器件,并得到越來越廣泛的應(yīng)用,那么IGBT的測試就變的尤為重要了。lGBT的測試包括靜態(tài)參數(shù)測試、動態(tài)參數(shù)測試、功率循環(huán)、HTRB可靠性測試等,這些測試中最基本的測試就是靜態(tài)參數(shù)測試。

  隨著半導(dǎo)體制程工藝不斷提升,測試和驗證也變得更加重要。通常,主要的功率半導(dǎo)體器件特性分為靜態(tài)特性、動態(tài)特性、開關(guān)特性。靜態(tài)參數(shù)特性主要是表征器件本征特性指標(biāo),與工作條件無關(guān)的相關(guān)參數(shù),如很多功率器件的的靜態(tài)直流參數(shù)(如擊穿電壓V(BR)DSS、漏電流ICES/IDSS/IGES/IGSS、閾值電壓VGS(th)、跨導(dǎo)Gfs、壓降VF 、導(dǎo)通內(nèi)阻RDS(on))等。功率半導(dǎo)體器件是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式器件,兼有高輸入阻抗和低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點;同時半導(dǎo)體功率器件的芯片屬于電力電子芯片,需要工作在大電流、高電壓、高頻率的環(huán)境下,對芯片的可靠性要求較高,這給測試帶來了一定的困難。市面上傳統(tǒng)的測量技術(shù)或者儀器儀表一般可以覆蓋器件特性的測試需求,但是寬禁帶半導(dǎo)體器件SiC(碳化硅)或GaN(氮化鎵)的技術(shù)卻極大擴展了高壓、高速的分布區(qū)間。如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線或其它靜態(tài)特性,這就對器件的測試工具提出更為嚴(yán)苛的挑戰(zhàn)。


普賽斯IGBT功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)測試解決方案

  PMST系列功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)是武漢普賽斯正向設(shè)計、精益打造的高精密電壓/電流測試分析系統(tǒng),是一款能夠提供IV、CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測試系統(tǒng),具有高精度、寬測量范圍、模塊化設(shè)計、輕松升級擴展等優(yōu)勢,旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測試,并具有優(yōu)秀的測量效率、一致性與可靠性。讓任何工程師使用它都能變成行業(yè)專家。

  針對用戶不同測試場景的使用需求,普賽斯全新推出PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)、PMST-MP功率器件靜態(tài)參數(shù)產(chǎn)線半自動化測試系統(tǒng)、PMST-AP功率器件靜態(tài)參數(shù)產(chǎn)線全自動化測試系統(tǒng)三款功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)。igbt靜態(tài)性能測試設(shè)備認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表咨詢,詳詢18140663476

從實驗室到小批量、大批量產(chǎn)線的全覆蓋 

從Si   IGBT、SiC MOS到GaN HEMT的全覆蓋 

從晶圓、芯片、器件、模塊到IPM的全覆蓋


產(chǎn)品特點

1、高電壓、大電流

具有高電壓測量/輸出能力,電壓高達3500V(最大可擴展至10kV)

具有大電流測量/輸出能力,電流高達6000A(多模塊并聯(lián))

2、高精度測量

nA級漏電流,μΩ級導(dǎo)通電阻 

0.1%精度測量 

四線制測試

3、模塊化配置

可根據(jù)實際測試需要靈活配置多種測量單元

系統(tǒng)預(yù)留升級空間,后期可添加或   升級測量單元

4、測試效率高

內(nèi)置專用開關(guān)矩陣,根據(jù)測試項目自動切換電路與測量單元 

支持國標(biāo)全指標(biāo)的一鍵測試

5、軟件功能豐富

上位機自帶器件標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)測試項目模板,可直接調(diào)取使用

支持曲線繪制

自動保存測試數(shù)據(jù),并支持EXCEL格式導(dǎo)出

開放的標(biāo)準(zhǔn)SCPI指令集,可與第三方系統(tǒng)集成

6、擴展性好

支持常溫及低溫、高溫測試

可靈活定制各種夾具

可與探針臺,溫箱等第三方設(shè)備聯(lián)動使用


硬件特色與性能優(yōu)勢

1、大電流輸出響應(yīng)快,無過沖

采用自主開發(fā)的高性能脈沖式大電流源、高壓源,輸出建立過程響應(yīng)快、無過沖。測試過程中,大電流典型上升時間為15μs,    脈寬在50~500μs之間可調(diào)。采用脈沖大電流的測試方式,可有 效降低器件因自身發(fā)熱帶來的誤差。

2、高壓測試支持恒壓限流,恒流限壓模式

采用自主開發(fā)的高性能高壓源,輸出建立與斷開響應(yīng)快、無過沖。在擊穿電壓測試中,可設(shè)定電流限制或者電壓限值,防止    器件因過壓或過流導(dǎo)致?lián)p壞。

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規(guī)格參數(shù)

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